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Übersetzte Fachartikel zur Pseudo-Trioden-Verzerrung von Viktor Kempf, AMT-Electronics

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• Vor­wort des Über­setzers •
• Aus dem Russischen:  ПТ-эмуляция триод­ного ограничения – FET-Emulation von Trioden­verzerrungen •
• Aus den Englischen:  Why «tube-like» cannot measure up to «tube inside» – Warum sich „röhrenmäßig“ nicht mit „echter Röhre“ messen kann •
• Aktuellerer Nachtrag – p-Kanal-JFETs und die LA2-Serie

Vor­wort des Über­setzers

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• Quellenangaben •
• Formalien und technische Umsetzung •

An dieser Stelle bzw. auf diesem Teil der Seite sollen hier Ideen, Theorien oder Kon­zepte Dritter vorgestellt werden, insbesondere dann, wenn diese Ge­fahr laufen, neben dem Mode (winn­tätsch etc.) liegend übersehen zu werden. 

Im Rahmen des eigenen Interesses für Gitarren­verstärker­simulations- und Verzerrer­schaltungen stieß der Über­setzer irgend­wann in der Fach­presse auf einen Hin­weis auf die Ver­stärker­simulationen der russischen Firma AMT-Electronics und fand nach­einander zwei Grund­lagen­artikel über die Nach­bildung von Röhren­verzerrungen mit Hilfe von JFETs.  Diese Artikel sollen hier – hoffent­lich einigermaßen nach­voll­zieh­bar über­setzt – vor­ge­stellt werden. 

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Quellenangaben

Es geht um folgende zwei Artikel von Viktor Kempf, AMT-Electronics (https://amtelectronics.com). 

ПТ-эмуляция триодного ограничения – FET-Emulation von Trioden­verzerrungen (über­setzter Artikel hier): 

Ein älterer russischer Artikel aus einem russischen Fach­forum.  Er beschreibt die Ent­wicklung und die genaue Berechnung der „Pseudo“-Triode sowie deren Anwendung in einer Emulation eines Gitarren­preamps. 

Das russischsprachige Original des Artikels wurde noch als PDF in den Resten eines Fach­forums gefunden; die Dateien, auf die im Artikel verwiesen wird (Klangbeispiele; eine EXCEL-Datei), aber nicht. 

Why «tube-like» cannot measure up to «tube inside» – Warum sich „röhrenmäßig“ nicht mit „echter Röhre“ messen kann (über­setzter Artikel hier): 

Dem folgte ein späterer Artikel gleichen Autors in Englisch; gefunden auf der Seite von AMT-Electronics (siehe hier). 

Auch dieser Artikel beschreibt die Schaltung der „Pseudo“-Triode und ihre klang­lichen Eigen­schaften, und enthält einige Ober­ton­spektren im Vergleich zu üblichen Halb­leiter­begrenzer­schaltungen. 

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Formalien und technische Umsetzung

Im Folgenden ein paar notwendige Anmerkungen zu Formalien und technischen Fragen bei den über­setzten Artikeln: 

Abbildungen: 

Die Skizzen der Schaltungen und Signal­formen wurden aus den Original­artikeln nach­ge­zeichnet.  (Gründe waren mög­liche Ur­heber­rechts­an­sprüche auf die Original­bilder sowie deren leicht pixelige Dar­stellung.)  Rot und Violett wurden ein wenig nach­ge­dun­kelt; die Indizes in Ab­bil­dungen und Text aneinander an­ge­passt (siehe weiter unten). 

Die beiden Schalt­pläne eines vier­stufigen Röhren­preamps und von dessen Nach­bildung mussten – dem schmaleren Satz­spiegel dieser Seite ent­sprechend – um­brochen werden. 

Spektren: 

Der Autor hat sich erlaubt, zwei Foto­grafien (oder Screen­shots) „auf­zu­hüb­schen“ und druck­freund­licher zu gestalten – die Spek­tren in dem aus dem Eng­lischen über­setzten zwei­ten Artikel (siehe hier und hier) wurden, um druck­freund­licher zu sein, in ihrer Hellig­keit inver­tiert, der Kontrast zwischen den Graphen und den Hilfs­linien erhöht und es wurden zusätz­liche Mar­kierungen an der Frequenz­achse an­ge­bracht. 

Formeln: 

Die inline-Formeln wurden mit HTML realisiert, die abgesetzten Formeln mit Hilfe des Javascript-Plugins MathJax. 

Layout: 

Umbruch und Satz / Layout der Artikel wurden an diese Seite und die deutsche Sprache (Sonder­zeichen, Silben­trennung) angepasst. 

Indizes der Formel­zeichen: 

Im erst­genannten russisch­sprachigen Artikel wurden einige Indizes ge­ändert bzw. mit die Formel­zeichen in den Grafiken ver­einheit­licht. 

• FET-Parameter:  Die Cut-off-Spannung U₀ wurde zu U_CO und der Leer­lauf­strom I₀ zu I_DSS ge­ändert.  Un­ab­hängig davon bekommt die (negative) Ab­schnür­spannung U_CO ein ent­sprechen­des Vor­zeichen, wenn sie in Formeln als Wert größer null ver­wendet wird. 

• Indizes in den Schaltskizzen:  Die Be­zeich­nung des Drain­wider­stands wird ge­ändert von R_C zu R_D. 

• Indizes „d“ und „D“:  Ebenfalls in den Schaltskizzen wie auch in den Gleichungen angepasst wurden die Indizes „d“ (für die Diode zwischen dem Gate und den Source­widerständen) und „D“ (für alles im Zusammenhang mit dem Drain des JFET). 

• Zweiter Source­wider­stand r:  Auch der Notation in den Schalt­skizzen folgend wird der zweite Source­wider­stand R zu r sowie dem­ent­sprechend die Spannung U_R zu U_r. 

• Kyrillische Indizes:  Die kyrillischen Indizes für die Betriebs- bzw. Speise­spannung U_П (П ↪ питание – Speisung), den Last­wider­stand R_Н und den Ausgangs­koppel­konden­sator C_Н (Н ↪ ноша – Last) sowie für den Kanal­wider­stand R_К (К ↪ Канал – Kanal), die Kathoden­spannung U_К (К ↪ Катод – Kathode) und den Anoden­wider­stand R_А (А ↪ Анод – Anode) werden, den Schalt­skizzen folgend, übernommen

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