Ideen zu einem Treblebooster für Humbucker – Anhang B

B Untersuchung des dynamischen Verhaltens von Germaniumtransistoren

Kapitelinhalt:[ Überspringen ]

B.1 – AC128
B.2 – МП21 mit β = 40
B.3 – МП21 mit β = 52
B.4 – AC128 mit Emitterdiode 1N4148
Auswertung

Nach dem Versuch, Kennziffern des statischen Verhaltens der Germaniumtransistoren zu messen, sollte deren dynamisches Verhalten im linearen Bereich und bei Übersteuerung in einer dem Rangemaster Treblebooster ähnlichen Schaltung untersucht werden.

Dabei fanden drei verschiedene Transistoren und zwei verschiedene Messaufbauten Verwendung – einmal eine einfache Verstärkerstufe ohne Gegenkopplung, mit der die drei verschiedene Transistoren ausgemessen wurden, und einmal die gleiche Schaltung, erweitert um eine nichtlineare Gegenkopplung über eine im Emitterzweig eingefügte Diode 1N4148. Mit der zweiten Schaltung wurde nur ein Transistor ausgemessen, um den Unterschied zu dessen Verhalten in der ersten Schaltung zu ergründen.

Das vorhandene Messequipment (Stereo-Soundkarte, Soundkartenvorschaltgerät mit einem Ausgang und zwei Eingängen, 2-Kanal-Software-Oszilloskop) machte es notwendig, die Messungen aufzuteilen. Bei jedem Messaufbau wurde im jeweils ersten Durchgang das Signal an der Basis gegen das Eingangssignal vor einem Basisvorwiderstand gemessen, im jeweils zweiten Durchgang das Signal am Kollektor gegen das an der Basis.

Zunächst Messschaltung 1 (siehe Abbildung B.1): Das Testsignal wird über einen relativ großen Koppelkondensator (C₁, 470 nF) und einen Vorwiderstand (R₃, 4,7 kΩ, entspricht in etwa dem Gleichstromwiderstand eines Single-Coil-Tonabnehmers) auf die Basis des Transistors geleitet. Dessen Basisruhestrom bzw. Arbeitspunkt wird über einen Spannungsteiler R₄ eingestellt und über einen Vorwiderstand R₂ ebenfalls auf die Basis geleitet. Der Gleichstromwiderstand, den „die Basis sieht“, entspricht mit knapp 60kΩ etwa dem der Basisstromspeisung beim Rangemaster Treblebooster (470 kΩ || 68 kΩ). Ebenfalls vom Rangemaster Treblebooster abgeleitet ist die Höhe des Kollektorwiderstands (R₁, 10 kΩ).

Schaltskizze — Abb. B.1: Prinzipielle Darstellung der Schaltung für die Messungen 1 bis 3. Beim DUT handelte es sich um einen Transistor AC128 (*Messung 1*), einen МП21 mit β = 40 (*Messung 2*) und einen МП21 mit β = 52 (*Messung 3*). Mit dem Trimmer R₄ wurde eine Kollektorruhespannung von etwa −7 V eingestellt.

Im zweiten Messaufbau wurde, zunächst eher aus Daffke (bevor die Überlegungen im vorherigen Kapitel ausgearbeitet waren), eine Siliziumdiode 1N4148 zwischen den Emitter des Transistors und Masse eingefügt (sieheAbbildung B.2) und der Speisewiderstand für den Basisruhestrom von 56 kΩ auf 100 kΩ erhöht. Dahinter stand die Überlegung, man könnte durch das Einfügen der Diode den Eingangswiderstand der Schaltung erhöhen (der differentielle Widerstand der Diode erscheint, multipliziert mit dem Stromverstärkungsfaktor des Transistors, an der Basis) und ihre Verstärkung verringern (die differentiellen Widerstände der Diode und der Basis-Emitter-Strecke des Transistors bilden einen Spannungsteiler), ohne die statische Kennlinie durch eine lineare Gegenkopplung zu linearisieren. Das heißt, es ging darum, eine Schaltung zu erhalten, die bei etwa doppelten Eingangssignalspannungen und gleichen Eingangssignalströmen vergleichbar der ersten Messschaltung reagiert – gedacht als möglicher Treblebooster für Humbucker.

Auf den Eingang der Messschaltung wurden nun Sinussignale von 440 Hz oder 1 kHz verschiedener Amplitude geleitet; es wurden die Zeitsignalverläufe des Generatorsignals und die Signale an Basis und Kollektor sowie die Lissajous-Figuren der Signale an Basis und Kollektor, jeweils gegen das Generatorsignal, aufgezeichnet. Weiterhin wurden bei linearer Aussteuerung jeweils im ersten Durchgang der Messungen (Basissignal gegen Generatorsignal) der Eingangswiderstand und im zweien Durchgang (Kollektorsignal gegen Generatorsignal) die Verstärkung bestimmt.

nach oben

Messschaltung B1 – AC128

Eingangskreis – u_eing. vs. u_B

Es fand die Messschaltung 1 entsprechend Abbildung B.1 Verwendung – untersuchter Transistor war ein AC128 .

Tabelle B1.1: Signalspannungen, gemessen im Eingangskreis von Messschaltung 1
	u_eing. [mV]		u_B [mV]		r_i [kΩ]
	pp	eff.	pp	eff.	clean
1	74	25	52	17,7	≈ 11
2	145	50	105	37	≈ 12
3	362	128	272	100	(zerrt)
4	723	257	549	209	(zerrt)

Bildertabelle B1.2: Signalverläufe und Lissajous-Figuren, aufgezeichnet im Eingangskreis von Messschaltung B.1:

Oszillogramme
Messschaltung 1:
u_eing. und u_B

X-Y-Graphen
Messschaltung 1:
u_B vs. u_eing.

Eingangssignalspannung: u_eing.,eff = 25 mV

u_eing. (grün): 10 mV / Div,
u_B (rot): 10 mV / Div

u_eing. (hor.): 10 mV / Div,
u_B (vert.): 5 mV / Div

Eingangssignalspannung: u_eing.,eff = 50 mV

u_eing. (grün): 20 mV / Div,
u_B (rot): 20 mV / Div

u_eing. (hor.): 20 mV / Div,
u_B (vert.): 10 mV / Div

Eingangssignalspannung: u_eing.,eff = 128 mV

u_eing. (grün): 50 mV / Div,
u_B (rot): 50 mV / Div

u_eing. (hor.): 50 mV / Div,
u_B (vert.): 20 mV / Div

Eingangssignalspannung: u_eing.,eff = 257 mV

u_eing. (grün): 100 mV / Div,
u_B (rot): 100 mV / Div

u_eing. (hor.): 100 mV / Div,
u_B (vert.): 50 mV / Div

nach oben

Verstärkung und Verzerrung – u_eing. vs. u_C

Tabelle B1.3: Signalspannungen, gemessen am Ausgang von Messschaltung 1
	u_eing. [mV]		u_C [V]		v_U
	pp	eff.	pp	eff.	clean
1	73	25	2,5	0,88	≈ 35
2	144	50	4,6	1,7	≈ 33
3	360	127	8,9	3,3	(zerrt)
4	722	256	9,7	4	(zerrt)

Bildertabelle B1.4: Signalverläufe und Lissajous-Figuren, aufgezeichnet am Ausgang von Messschaltung B.1:

Oszillogramme
Messschaltung 1:
u_eing. und u_C

X-Y-Graphen
Messschaltung 1:
u_C vs. u_eing.

Eingangssignalspannung: u_eing.,eff = 25 mV

u_eing. (grün): 10 mV / Div,
u_C (rot): 200 mV / Div

u_eing. (hor.): 10 mV / Div,
u_C (vert.): 200 mV / Div

Eingangssignalspannung: u_eing.,eff = 50 mV

u_eing. (grün): 20 mV / Div,
u_C (rot): 200 mV / Div

u_eing. (hor.): 20 mV / Div,
u_C (vert.): 500 V / Div

Eingangssignalspannung: u_eing.,eff = 127 mV

u_eing. (grün): 50 mV / Div,
u_C (rot): 500 mV / Div

u_eing. (hor.): 50 mV / Div,
u_C (vert.): 1 V / Div

Eingangssignalspannung: u_eing.,eff = 256 mV

u_eing. (grün): 100 mV / Div,
u_C (rot): 1 V  / Div

u_eing. (hor.): 100 mV / Div,
u_C (vert.): 1 V / Div

nach oben

Messschaltung B2 – МП21 mit β = 40

Es fand die Messschaltung 1 entsprechend Abbildung B.1 Verwendung – untersuchter Transistor war ein МП21 mit einem ausgewiesenen Stromverstärkungsfaktor von 40.

Eingangskreis – u_eing. vs. u_B

Tabelle B2.1: Signalspannungen, gemessen im Eingangskreis von Messschaltung 2
	u_eing. [mV]		u_B [mV]		r_i [kΩ]
	pp	eff.	pp	eff.	clean
1	140	49	76	26	≈ 5,5
2	355	124	226	82	(zerrt)
3	720	254	510	191	(zerrt)

Bildertabelle B2.2: Signalverläufe und Lissajous-Figuren, aufgezeichnet im Eingangskreis von Messschaltung B.2:

Oszillogramme
Messschaltung 2:
u_eing. und u_B

X-Y-Graphen
Messschaltung 2:
u_B vs. u_eing.

Eingangssignalspannung: u_eing.,eff = 49 mV

u_eing. (grün): 25 mV / Div,
u_B (rot): 25 mV / Div

u_eing. (hor.): 25 mV / Div,
u_B (vert.): 10 mV / Div

Eingangssignalspannung: u_eing.,eff = 124 mV

u_eing. (grün): 50 mV / Div,
u_B (rot): 50 mV / Div

u_eing. (hor.): 50 mV / Div,
u_B (vert.): 20 mV / Div

Eingangssignalspannung: u_eing.,eff = 254 mV

u_eing. (grün): 100 mV / Div,
u_B (rot): 100 mV / Div

u_eing. (hor.): 100 mV / Div,
u_B (vert.): 50 mV / Div

nach oben

Verstärkung und Verzerrung – u_eing. vs. u_C

Tabelle B2.3: Signalspannungen, gemessen am Ausgang von Messschaltung 2
	u_eing. [mV]		u_C [V]		v_U
	pp	eff.	pp	eff.	clean
1	140	49	4,08	1,46	≈ 29
2	354	125	7,64	2,83	(zerrt)
3	715	254	9,68	3,89	(zerrt)

Bildertabelle B2.4: Signalverläufe und Lissajous-Figuren, aufgezeichnet am Ausgang von Messschaltung B.2:

Oszillogramme
Messschaltung 2:
u_eing. und u_C

X-Y-Graphen
Messschaltung 2:
u_c vs. u_b

Eingangssignalspannung: u_eing.,eff = 49 mV

u_eing. (grün): 25 mV / Div,
u_c (rot): 1 V / Div

u_eing. (hor.): 25 mV / Div,
u_c (vert.): 500 mV / Div

Eingangssignalspannung: u_eing.,eff = 125 mV

u_eing. (grün): 50 mV / Div,
u_c (rot): 2 V / Div

u_eing. (hor.): 50 mV / Div,
u_c (vert.): 1 V / Div

Eingangssignalspannung: u_eing.,eff = 254 mV

u_eing. (grün): 100 mV / Div,
u_c (rot): 2 V / Div

u_eing. (hor.): 100 mV / Div,
u_c (vert.): 1 V / Div

nach oben

Messschaltung B3 – МП21 mit β = 52

Es fand die Messschaltung 1 entsprechend Abbildung B.1 Verwendung – untersuchter Transistor war ein МП21 mit einem ausgewiesenen Stromverstärkungsfaktor von 52.

Eingangskreis – u_eing. vs. u_b

Tabelle B3.1: Signalspannungen, gemessen im Eingangskreis von Messschaltung 3
	u_eing. [mV]		u_B [mV]		r_i [kΩ]
	pp	eff.	pp	eff.	clean
1	72	25	46	16	≈ 8
2	144	50	94	33	≈ 9
3	360	127	257	94	(zerrt leicht)
4	720	256	535	202	(zerrt)

Bildertabelle B3.2: Signalverläufe und Lissajous-Figuren, aufgezeichnet im Eingangskreis von Messschaltung B.3:

Oszillogramme
Messschaltung 3:
u_eing. und u_b

X-Y-Graphen
Messschaltung 3:
u_b vs. u_eing.

Eingangssignalspannung: u_eing.,eff = 25 mV

u_eing.: (grün): 10 mV / Div,
u_b (rot): 10 mV / Div

u_eing. (hor.): 10 mV / Div,
u_b (vert.): 5 mV / Div

Eingangssignalspannung: u_eing.,eff = 50 mV

u_eing.: (grün): 20 mV / Div,
u_b (rot): 20 mV / Div

u_eing. (hor.): 20 mV / Div,
u_b (vert.): 10 mV / Div

Eingangssignalspannung: u_eing.,eff = 127 mV

u_eing.: (grün): 50 mV / Div,
u_b (rot): 50 mV / Div

u_eing. (hor.): 50 mV / Div,
u_b (vert.): 20 mV / Div

Eingangssignalspannung: u_eing.,eff = 256 mV

u_eing.: (grün): 100 mV / Div,
u_b (rot): 100 mV / Div

u_eing. (hor.): 100 mV / Div,
u_b (vert.): 50 mV / Div

nach oben

Verstärkung und Verzerrung – u_eing. vs. u_c

Tabelle B3.3: Signalspannungen, gemessen am Ausgang von Messschaltung 3
	u_eing. [V]		u_C [V]		v_U
	pp	eff.	pp	eff.	clean
1	72	25	2,58	0,91	≈ 36
2	143	50	4,69	1,68	≈ 33
3	359	127	8,55	3,15	(zerrt)
4	721	256	9,71	3,99	(zerrt)

Bildertabelle B3.4: Signalverläufe und Lissajous-Figuren, aufgezeichnet am Ausgang von Messschaltung B.3:

Oszillogramme
Messschaltung 3:
u_eing. und u_c

X-Y-Graphen
Messschaltung 3:
u_c vs. u_eing.

Eingangssignalspannung: u_eing.,eff = 25 mV

u_eing. (grün): 10 mV / Div,
u_c (rot): 500 mV / Div

u_eing. (hor.): 10 mV / Div,
u_c (vert.): 200 mV / Div

Eingangssignalspannung: u_eing.,eff = 50 mV

u_eing. (grün): 25 mV / Div,
u_c (rot): 1 V / Div

u_eing. (hor.): 25 mV / Div,
u_c (vert.): 500 mV / Div

Eingangssignalspannung: u_eing.,eff = 127 mV

u_eing. (grün): 50 mV / Div,
u_c (rot): 2 V / Div

u_eing. (hor.): 50 mV / Div,
u_c (vert.): 1 V / Div

Eingangssignalspannung: u_eing.,eff = 256 mV

u_eing. (grün): 100 mV / div,
u_c (rot): 2 V / div

u_eing. (hor.): 100 mV / Div,
u_c (vert.): 1 V / Div

nach oben

Messschaltung B4 – AC128 mit Emitterdiode 1N4148

Es fand die Messschaltung 2 entsprechend Abbildung B.2 Verwendung – untersuchter Transistor war ein AC128 .

Eingangskreis – u_eing. vs. u_b

Tabelle B4.1: Signalspannungen, gemessen im Eingangskreis von Messschaltung 4
	u_eing. [V]		u_B [V]		r_i [kΩ]
	pp	eff.	pp	eff.	clean
1	0,15	0,05	0,13	0,04	≈ 30
2	0,37	0,13	0,32	0,12	≈ 33
3	0,74	0,26	0,64	0,23	(zerrt)
4	1,47	0,52	1,25	0,47	(zerrt)
5	1,84	0,65	1,56	0,59	(clippt)
6	3,69	1,31	3,12	1,18	(clippt)

Bildertabelle B4.2: Signalverläufe und Lissajous-Figuren, aufgezeichnet im Eingangskreis von Messschaltung B.4:

Oszillogramme
Messschaltung 4:
u_eing. und u_b

X-Y-Graphen
Messschaltung 4:
u_b vs. u_eing.

Eingangssignalspannung: u_eing.,eff = 52 mV

u_eing.(grün): 25 mV / div,
u_b (rot): 25 mV / div

u_eing. (hor.): 25 mV / div,
u_b (vert.): 10 mV / div

Eingangssignalspannung: u_eing.,eff = 130 mV

u_eing.(grün): 50 mV / div,
u_b (rot): 50 mV / div

u_eing. (hor.): 50 mV / div,
u_b (vert.): 20 mV / div

Eingangssignalspannung: u_eing.,eff = 261 mV

u_eing.(grün): 100 mV / div,
u_b (rot): 100 mV / div

u_eing. (hor.): 100 mV / div,
u_b (vert.): 50 mV / div

Eingangssignalspannung: u_eing.,eff = 523 mV

u_eing.(grün): 200 mV / div,
u_b (rot): 200 mV / div

u_eing. (hor.): 200 mV / div,
u_b (vert.): 100 mV / div

Eingangssignalspannung: u_eing.,eff = 654 mV

u_eing.(grün): 200 mV / div,
u_b (rot): 200 mV / div

u_eing. (hor.): 200 mV / div,
u_b (vert.): 100 mV / div

Eingangssignalspannung: u_eing.,eff = 1,31 V

u_eing.(grün): 500 mV / div,
u_b (rot): 500 mV / div

u_eing. (hor.): 500 mV / div,
u_b (vert.): 200 mV / div

nach oben

Verstärkung und Verzerrung – u_eing. vs. u_c

Tabelle B4.3: Signalspannungen, gemessen am Ausgang von Messschaltung 4
	u_eing. [V]		u_C [V]		v_U
	pp	eff.	pp	eff.	clean
1	0,076	0,026	1,68	0,56	≈ 22
2	0,15	0,05	2,24	0,78	≈ 15
3	0,37	0,13	5,24	1,84	(zerrt)
4	0,74	0,26	8,94	3,31	(zerrt)
5	1,47	0,52	9	3,67	(clippt)
6	3,69	1,31	9,03	3,80	(clippt)

Bildertabelle B4.4: Signalverläufe und Lissajous-Figuren, aufgezeichnet am Ausgang von Messschaltung B.4:

Oszillogramme
Messschaltung 4:
u_eing. und u_c

X-Y-Graphen
Messschaltung 4:
u_C vs. u_eing.

Eingangssignalspannung: u_eing.,eff = 26 mV

u_eing. (grün): 10 mV / Div,
u_C (rot): 200 mV / Div

u_eing. (hor.): 10 mV / Div,
u_c (vert.): 100 mV / Div

Eingangssignalspannung: u_eing.,eff = 52 mV

u_eing. (grün): 20 mV / Div,
u_C (rot): 500 mV / Div

u_eing. (hor.): 20 mV / Div,
u_c (vert.): 200 mV / Div

Eingangssignalspannung: u_eing.,eff = 130 mV

u_eing. (grün): 50 mV / Div,
u_C (rot): 1 V / Div

u_eing. (hor.): 50 mV / Div,
u_c (vert.): 500 mV / Div

Eingangssignalspannung: u_eing.,eff = 261 mV

u_eing. (grün): 100 mV / Div,
u_C (rot): 2 V / Div

u_eing. (hor.): 100 mV / Div,
u_c (vert.): 1 V / Div

Eingangssignalspannung: u_eing.,eff = 523 mV

u_eing. (grün): 200 mV / Div,
u_C (rot): 2 V / Div

u_eing. (hor.): 200 mV / Div,
u_c (vert.): 1 V / Div

Eingangssignalspannung: u_eing.,eff = 1,3 V

u_eing. (grün): 500 mV / Div,
u_C (rot): 2 V / Div

u_eing. (hor.): 500 mV / Div,
u_C (vert.): 1 V / Div

nach oben

Auswertung

Nach dem kurzen Überblick über die quantitativen Ergebnisse in der folgenden Tabelle B.5 ein paar erläuternde Anmerkungen insbesondere zu den Oszillogrammen und Lissajous-Figuren.

Die ersten Messungen und Oszillogramme (speziell Messschaltung B.1) dienen weniger der Überprüfung eigener Hypothesen oder Schaltungsideen, sondern eher einer ersten Orientierung und Visualisierung des dynamischen Verhaltens insbesondere des Rangemaster Trebleboosters.

Die erste Messung Messung B1 entspricht im wesentlichen dem „originalen“ Treblebooster unter Verwendung eines „amtlichen“ Germaniumtransistor (AC128, β etwa 90), allerdings mit wesentlich größerem Eingangskoppelkondensator (um bei den üblichen Messfrequenzen von 440 Hz bzw. 1 kHz keine Phasenverschiebungen berücksichtigen zu müssen).

Die Ergebnisse dieser Untersuchung der Treblebooster-Schaltung sind eine Referenz insbesondere in Bezug auf das dynamische Verhalten, mit der beispielsweise Treblebooster-Schaltungen für hochohmige Tonabnehmer verglichen werden können. Wenn beispielsweise bei dieser Messung B1, die Schaltung bei einem Eingangspegel von etwa 200 mV so stark übersteuert wird, dass der Arbeitspunkt in den waagerechten Teil der Kennlinie wandert, (asymmetrische Übersteuerung, im Nulldurchgang des Eingangssignal ist der Transistor voll durchgesteuert und in Sättigung), so sollte man bei der Treblebooster-Version für Humbucker-Gitarren darauf achten, dass diese Art der Übersteuerung erst bei 400 mV bis 500 mV auftritt.

Insbesondere die Messungen an Messschaltung B2 und B3 haben einige der im Artikel angestellten Überlegungen bestätigt: Der Eingangswiderstand, der besonders für die Höhen wichtig ist, sinkt mit dem Stromverstärkungsfaktor des Transistors, während die (Spannungs-)Verstärkung (im Vergleich zur Leerlaufsignalspannung eines hochhohmig angeschlossenen Tonabnehmers) relativ unabhängig davon ist.

Das Einschleifen einer kleinen Diode in den Emitterkreis (Messschaltung B4) führt zu einer deutlichen Erhöhung des Eingangswiderstands wie auch zu einer ebenso deutlichen Verringerung der Spannungsverstärkung. Der weiter oben genannte Effekt der Verschiebung des Arbeitspunktes an den Cut Off (im Nulldurchgang des Eingangssignal sperrt der Transistor fast völlig, die Kollektorspannung des pnp-Transistors ist am negativsten) tritt bei der Messschaltung B4 bei einem etwa doppelt so großen Eingangssignal auf – in der folgenden Tabelle B5.2 werden die Signalverläufe und Lissajousfiguren der vier Messschaltung in diesem Zustand noch einmal zusammengefasst.

Tabelle B5.1: Eingangswiderstand und Verstärkung der verschiedenen Messschaltungen. Der Wert u_eing. → soft clip benennt die Eingangsspannung, bei der bei den Messungen noch keine *geradlinige* Begrenzung der Ausgangsspannung am Kollektor aufgetreten ist.
Schaltung mit DUT		Ση	r_eing. [kΩ]	v_U	u_eing. [mV]
Schaltung mit DUT		Ση	r_eing. [kΩ]	v_U		soft clip
B1	AC128	≈1	11	35	25	50
B2	МП21 (MP21); β ≈ 40	≈1	5,5	29	49	49
B3	МП21 (MP21); β ≈ 52	≈1	8	36	25	50
B4	AC128; mit 1N4148	≈2,7	30	15	52	130

Bildertabelle B5.2: In den Cut Off verschobener Arbeitspunkt für verschiedene Eingangssignalspannungen bei verschiedenen Schaltungen – Signalverläufe und Lissajous-Figuren

Oszillogramme
u_eing. und u_C

X-Y-Graphen
u_C vs. u_eing.

Messschaltung B1 – AC128
Eingangssignalspannung: u_eing.,eff = 127 mV

u_eing. (grün): 50 mV / Div,
u_C (rot): 500 mV / Div

u_eing. (hor.): 50 mV / Div,
u_C (vert.): 1 V / Div

Messschaltung B2 – МП21 mit β = 40
Eingangssignalspannung: u_eing.,eff = 125 mV

u_eing. (grün): 50 mV / Div,
u_c (rot): 2 V / Div

u_eing. (hor.): 50 mV / Div,
u_c (vert.): 1 V / Div

Messschaltung B3 – МП21 mit β = 52
Eingangssignalspannung: u_eing.,eff = 127 mV

u_eing. (grün): 50 mV / Div,
u_c (rot): 2 V / Div

u_eing. (hor.): 50 mV / Div,
u_c (vert.): 1 V / Div

Messschaltung B4 – AC128 mit Diode 1N4148
Eingangssignalspannung: u_eing.,eff = 261 mV

u_eing. (grün): 100 mV / Div,
u_C (rot): 2 V / Div

u_eing. (hor.): 100 mV / Div,
u_c (vert.): 1 V / Div

Ideen zu einem Treblebooster für Humbucker – Anhang B

B Untersuchung des dynamischen Verhaltens von Germanium­transistoren

Mess­schaltung B1 – AC128

Eingangskreis – ueing. vs. uB

Verstärkung und Verzerrung – ueing. vs. uC

Mess­schaltung B2 – МП21 mit β = 40

Eingangskreis – ueing. vs. uB

Verstärkung und Verzerrung – ueing. vs. uC

Mess­schaltung B3 – МП21 mit β = 52

Eingangskreis – ueing. vs. ub

Verstärkung und Verzerrung – ueing. vs. uc

Mess­schaltung B4 – AC128 mit Emitterdiode 1N4148

Eingangskreis – ueing. vs. ub

Verstärkung und Verzerrung – ueing. vs. uc

Auswertung

B Untersuchung des dynamischen Verhaltens von Germaniumtransistoren

Messschaltung B1 – AC128

Eingangskreis – u_eing. vs. u_B

Verstärkung und Verzerrung – u_eing. vs. u_C

Messschaltung B2 – МП21 mit β = 40

Eingangskreis – u_eing. vs. u_B

Verstärkung und Verzerrung – u_eing. vs. u_C

Messschaltung B3 – МП21 mit β = 52

Eingangskreis – u_eing. vs. u_b

Verstärkung und Verzerrung – u_eing. vs. u_c

Messschaltung B4 – AC128 mit Emitterdiode 1N4148

Eingangskreis – u_eing. vs. u_b

Verstärkung und Verzerrung – u_eing. vs. u_c