Ideen zu einem Treblebooster für Humbucker – Anhang B

B Untersuchung des dynamischen Verhaltens von Germanium­transistoren

Kapitelinhalt:[  Überspringen ]

• Mess­schaltung B.1 – AC128
  
• Mess­schaltung B.2 – МП21 mit β = 40
  
• Mess­schaltung B.3 – МП21 mit β = 52
  
• Mess­schaltung B.4 – AC128 mit Emitterdiode 1N4148
  
• Auswertung

Nach dem Versuch, Kennziffern des statischen Verhaltens der Germanium­transistoren zu messen, sollte deren dynamisches Verhalten im linearen Bereich und bei Übersteuerung in einer dem Rangemaster Treblebooster ähnlichen Schaltung untersucht werden. 

Dabei fanden drei verschiedene Transistoren und zwei verschiedene Messaufbauten Verwendung – einmal eine einfache Verstärkerstufe ohne Gegenkopplung, mit der die drei verschiedene Transistoren ausgemessen wurden, und einmal die gleiche Schaltung, erweitert um eine nichtlineare Gegenkopplung über eine im Emitterzweig eingefügte Diode 1N4148.  Mit der zweiten Schaltung wurde nur ein Transistor ausgemessen, um den Unterschied zu dessen Verhalten in der ersten Schaltung zu ergründen. 

Das vorhandene Mess­equipment (Stereo-Sound­karte, Sound­karten­vorschaltgerät mit einem Ausgang und zwei Eingängen, 2-Kanal-Software-Oszilloskop) machte es notwendig, die Messungen aufzuteilen.  Bei jedem Messaufbau wurde im jeweils ersten Durchgang das Signal an der Basis gegen das Eingangssignal vor einem Basis­vor­wider­stand gemessen, im jeweils zweiten Durchgang das Signal am Kollektor gegen das an der Basis. 

Zunächst Mess­schaltung 1 (siehe Abbildung B.1):  Das Testsignal wird über einen relativ großen Koppel­kondensator (C₁, 470 nF) und einen Vorwiderstand (R₃, 4,7 kΩ, entspricht in etwa dem Gleichstrom­widerstand eines Single-Coil-Tonabnehmers) auf die Basis des Transistors geleitet.  Dessen Basisruhestrom bzw. Arbeitspunkt wird über einen Spannungsteiler R₄ eingestellt und über einen Vorwiderstand R₂ ebenfalls auf die Basis geleitet.  Der Gleichstrom­widerstand, den „die Basis sieht“, entspricht mit knapp 60kΩ etwa dem der Basisstromspeisung beim Rangemaster Treblebooster (470 kΩ || 68 kΩ).  Ebenfalls vom Rangemaster Treblebooster abgeleitet ist die Höhe des Kollektor­widerstands (R₁, 10 kΩ). 

Im zweiten Messaufbau wurde, zunächst eher aus Daffke (bevor die Überlegungen im vorherigen Kapitel ausgearbeitet waren), eine Siliziumdiode 1N4148 zwischen den Emitter des Transistors und Masse eingefügt (sieheAbbildung B.2) und der Speisewiderstand für den Basis­ruhestrom von 56 kΩ auf 100 kΩ erhöht.  Dahinter stand die Überlegung, man könnte durch das Einfügen der Diode den Eingangs­wider­stand der Schaltung erhöhen (der differentielle Widerstand der Diode erscheint, multipliziert mit dem Stromverstärkungs­faktor des Transistors, an der Basis) und ihre Verstärkung verringern (die differentiellen Widerstände der Diode und der Basis-Emitter-Strecke des Transistors bilden einen Spannungsteiler), ohne die statische Kennlinie durch eine lineare Gegenkopplung zu linearisieren.  Das heißt, es ging darum, eine Schaltung zu erhalten, die bei etwa doppelten Eingangs­signal­spannungen und gleichen Eingangs­signal­strömen vergleichbar der ersten Mess­schaltung reagiert – gedacht als möglicher Treblebooster für Humbucker. 

Auf den Eingang der Mess­schaltung wurden nun Sinussignale von 440 Hz oder 1 kHz verschiedener Amplitude geleitet; es wurden die Zeitsignalverläufe des Generator­signals und die Signale an Basis und Kollektor sowie die Lissajous-Figuren der Signale an Basis und Kollektor, jeweils gegen das Generator­signal, aufgezeichnet.  Weiterhin wurden bei linearer Aussteuerung jeweils im ersten Durchgang der Messungen (Basissignal gegen Generator­signal) der Eingangs­wider­stand und im zweien Durchgang (Kollektorsignal gegen Generator­signal) die Verstärkung bestimmt. 

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Mess­schaltung B1 – AC128

Eingangskreis – u_eing. vs. u_B

Es fand die Mess­schaltung 1 entsprechend Abbildung B.1 Verwendung – untersuchter Transistor war ein AC128 .

Tab. B1.1: Signalspannungen, gemessen im Eingangskreis von Mess­schaltung 1

	ueing.		uB		ri
	[ Vpp ]	[ Veff ]	[ Vpp ]	[ Veff ]	[ clean ]
1	74 mV	25 mV	52 mV	17,7 mV	≈ 11kΩ
2	145 mV	50 mV	105 mV	37 mV	≈ 12kΩ
3	362 mV	128 mV	272 mV	100 mV	(zerrt)
4	723 mV	257 mV	549 mV	209 mV	(zerrt)

Tab. B1.2: Signalverläufe und Lissajous-Figuren, aufgezeichnet im Eingangskreis von Mess­schaltung B.1:  (Zum Öffnen klicken)

Oszillogramme
Mess­schaltung 1 –
u_eing. und u_B

X-Y-Graphen
Mess­schaltung 1 –
u_B vs. u_eing.

Ein­gangs­signal­spannung:  u_eing.,eff = 25 mV

u_eing. (grün): 10 mV / Div,
u_B (rot): 10 mV / Div 

u_eing. (hor.): 10 mV / Div,
u_B (vert.): 5 mV / Div 

Ein­gangs­signal­spannung:  u_eing.,eff = 50 mV

u_eing. (grün): 20 mV / Div,
u_B (rot): 20 mV / Div 

u_eing. (hor.): 20 mV / Div,
u_B (vert.): 10 mV / Div 

Ein­gangs­signal­spannung:  u_eing.,eff = 128 mV

u_eing. (grün): 50 mV / Div,
u_B (rot): 50 mV / Div 

u_eing. (hor.): 50 mV / Div,
u_B (vert.): 20 mV / Div 

Ein­gangs­signal­spannung:  u_eing.,eff = 257 mV

u_eing. (grün): 100 mV / Div,
u_B (rot): 100 mV / Div 

u_eing. (hor.): 100 mV / Div,
u_B (vert.): 50 mV / Div 

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Verstärkung und Verzerrung – u_eing. vs. u_C

Tab. B1.3: Signalspannungen, gemessen am Ausgang von Mess­schaltung 1

	ueing.		uC		vu
	[ Vpp ]	[ Veff ]	[ Vpp ]	[ Veff ]	[ clean ]
1	73 mV	25 mV	2,5 V	880 mV	≈ 35
2	144 mV	50 mV	4,6 V	1,7 V	≈ 33
3	360 mV	127 mV	8,9 V	3,3 V	(zerrt)
4	722 mV	256 mV	9,7 V	4 V	(zerrt)

Tab. B1.4: Signalverläufe und Lissajous-Figuren, aufgezeichnet am Ausgang von Mess­schaltung B.1:  (Zum Öffnen klicken)

Oszillogramme
Mess­schaltung 1 –
u_eing. und u_C

X-Y-Graphen
Mess­schaltung 1 –
u_C vs. u_eing.

Ein­gangs­signal­spannung:  u_eing.,eff = 25 mV

u_eing. (grün): 10 mV / Div,
u_C (rot): 200 mV / Div 

u_eing. (hor.):  10 mV / Div,
u_C (vert.): 200 mV / Div 

Ein­gangs­signal­spannung:  u_eing.,eff = 50 mV

u_eing. (grün): 20 mV / Div,
u_C (rot): 200 mV / Div 

u_eing. (hor.):  20 mV / Div,
u_C (vert.): 500 V / Div 

Ein­gangs­signal­spannung:  u_eing.,eff = 127 mV

u_eing. (grün): 50 mV / Div,
u_C (rot): 500 mV / Div 

u_eing. (hor.):  50 mV / Div,
u_C (vert.): 1 V / Div 

Ein­gangs­signal­spannung:  u_eing.,eff = 256 mV

u_eing. (grün): 100 mV / Div,
u_C (rot): 1 V  / Div 

u_eing. (hor.):  100 mV / Div,
u_C (vert.): 1 V / Div 

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Mess­schaltung B2 – МП21 mit β = 40

Es fand die Mess­schaltung 1 entsprechend Abbildung B.1 Verwendung – untersuchter Transistor war ein МП21 mit einem ausgewiesenen Strom­verstärkungs­faktor von 40. 

Eingangskreis – u_eing. vs. u_B

Tab. B2.1: Signalspannungen, gemessen im Eingangskreis von Mess­schaltung 2

	ueing.		uB		ri
	[ Vpp ]	[ Veff ]	[ Vpp ]	[ Veff ]	[ clean ]
1	140 mV	49 mV	76 mV	26 mV	≈ 5,5kΩ
2	355 mV	124 mV	226 mV	82 mV	(zerrt)
3	720 mV	254 mV	510 mV	191 mV	(zerrt)

Tab. B2.2: Signalverläufe und Lissajous-Figuren, aufgezeichnet im Eingangskreis von Mess­schaltung B.2:  (Zum Öffnen klicken)

Oszillogramme
Mess­schaltung 2 –
u_eing. und u_B

X-Y-Graphen
Mess­schaltung 2 –
u_B vs. u_eing.

Ein­gangs­signal­spannung:  u_eing.,eff = 49 mV

u_eing. (grün): 25 mV / Div,
u_B (rot): 25 mV / Div 

u_eing. (hor.): 25 mV / Div,
u_B (vert.): 10 mV / Div 

Ein­gangs­signal­spannung:  u_eing.,eff = 124 mV

u_eing. (grün): 50 mV / Div,
u_B (rot): 50 mV / Div 

u_eing. (hor.): 50 mV / Div,
u_B (vert.): 20 mV / Div 

Ein­gangs­signal­spannung:  u_eing.,eff = 254 mV

u_eing. (grün): 100 mV / Div,
u_B (rot): 100 mV / Div 

u_eing. (hor.): 100 mV / Div,
u_B (vert.): 50 mV / Div 

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Verstärkung und Verzerrung – u_eing. vs. u_C

Tab. B2.3: Signalspannungen, gemessen am Ausgang von Mess­schaltung 2

	ueing.		uC		vu
	[ Vpp ]	[ Veff ]	[ Vpp ]	[ Veff ]	[ clean ]
1	140 mV	49 mV	4,08 V	1,46 V	≈ 29
2	354 mV	125 mV	7,64 V	2,83 V	(zerrt)
3	715 mV	254 mV	9,68 V	3,89 V	(zerrt)

Tab. B2.4: Signalverläufe und Lissajous-Figuren, aufgezeichnet am Ausgang von Mess­schaltung B.2:  (Zum Öffnen klicken)

Oszillogramme
Mess­schaltung 2 –
u_eing. und u_C

X-Y-Graphen
Mess­schaltung 2 –
u_c vs. u_b

Ein­gangs­signal­spannung:  u_eing.,eff = 49 mV

u_eing. (grün): 25 mV / Div,
u_c (rot): 1 V / Div 

u_eing. (hor.): 25 mV / Div,
u_c (vert.): 500 mV / Div 

Ein­gangs­signal­spannung:  u_eing.,eff = 125 mV

u_eing. (grün): 50 mV / Div,
u_c (rot): 2 V / Div 

u_eing. (hor.): 50 mV / Div,
u_c (vert.): 1 V / Div 

Ein­gangs­signal­spannung:  u_eing.,eff = 254 mV

u_eing. (grün): 100 mV / Div,
u_c (rot): 2 V / Div 

u_eing. (hor.): 100 mV / Div,
u_c (vert.): 1 V / Div 

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Mess­schaltung B3 – МП21 mit β = 52

Es fand die Mess­schaltung 1 entsprechend Abbildung B.1 Verwendung – untersuchter Transistor war ein МП21 mit einem ausgewiesenen Strom­verstärkungs­faktor von 52. 

Eingangskreis – u_eing. vs. u_b

Tab. B3.1: Signalspannungen, gemessen im Eingangskreis von Mess­schaltung 3

	ueing.		uB		ri
	[ Vpp ]	[ Veff ]	[ Vpp ]	[ Veff ]	[ clean ]
1	72 mV	25 mV	46 mV	16 mV	≈ 8 kΩ
2	144 mV	50 mV	94 mV	33 mV	≈ 9 kΩ
3	360 mV	127 mV	257 mV	94 mV	(zerrt leicht)
4	720 mV	256 mV	535 mV	202 mV	(zerrt)

Tab. B3.2: Signalverläufe und Lissajous-Figuren, aufgezeichnet im Eingangskreis von Mess­schaltung B.3:  (Zum Öffnen klicken)

Oszillogramme
Mess­schaltung 3 –
u_eing. und u_b

X-Y-Graphen
Mess­schaltung 3 –
u_b vs. u_eing.

Ein­gangs­signal­spannung:  u_eing.,eff = 25 mV

u_eing.: (grün): 10 mV / Div,
u_b (rot): 10 mV / Div

u_eing. (hor.): 10 mV / Div,
u_b (vert.): 5 mV / Div

Ein­gangs­signal­spannung:  u_eing.,eff = 50 mV

u_eing.: (grün): 20 mV / Div,
u_b (rot): 20 mV / Div

u_eing. (hor.): 20 mV / Div,
u_b (vert.): 10 mV / Div

Ein­gangs­signal­spannung:  u_eing.,eff = 127 mV

u_eing.: (grün): 50 mV / Div,
u_b (rot): 50 mV / Div

u_eing. (hor.): 50 mV / Div,
u_b (vert.): 20 mV / Div

Ein­gangs­signal­spannung:  u_eing.,eff = 256 mV

u_eing.: (grün): 100 mV / Div,
u_b (rot): 100 mV / Div

u_eing. (hor.): 100 mV / Div,
u_b (vert.): 50 mV / Div

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Verstärkung und Verzerrung – u_eing. vs. u_c

Tab. B3.3: Signalspannungen, gemessen am Ausgang von Mess­schaltung 3

	ueing.		uC		vu
	[ Vpp ]	[ Veff ]	[ Vpp ]	[ Veff ]	[ clean ]
1	72 mV	25 mV	2,58 V	910 mV	≈ 36
2	143 mV	50 mV	4,69 V	1,68 V	≈ 33
3	359 mV	127 mV	8,55 V	3,15 V	(zerrt)
4	721 mV	256 mV	9,71 V	3,99 V	(zerrt)

Tab. B3.4: Signalverläufe und Lissajous-Figuren, aufgezeichnet am Ausgang von Mess­schaltung B.3:  (Zum Öffnen klicken)

Oszillogramme
Mess­schaltung 3 –
u_eing. und u_c

X-Y-Graphen
Mess­schaltung 3 –
u_c vs. u_eing.

Ein­gangs­signal­spannung:  u_eing.,eff = 25 mV

u_eing. (grün): 10 mV / Div,
u_c (rot): 500 mV / Div

u_eing. (hor.): 10 mV / Div,
u_c (vert.): 200 mV / Div

Ein­gangs­signal­spannung:  u_eing.,eff = 50 mV

u_eing. (grün): 25 mV / Div,
u_c (rot): 1 V / Div

u_eing. (hor.): 25 mV / Div,
u_c (vert.): 500 mV / Div

Ein­gangs­signal­spannung:  u_eing.,eff = 127 mV

u_eing. (grün): 50 mV / Div,
u_c (rot): 2 V / Div

u_eing. (hor.): 50 mV / Div,
u_c (vert.): 1 V / Div

Ein­gangs­signal­spannung:  u_eing.,eff = 256 mV

u_eing. (grün): 100 mV / div,
u_c (rot): 2 V / div

u_eing. (hor.): 100 mV / Div,
u_c (vert.): 1 V / Div

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Mess­schaltung B4 – AC128 mit Emitterdiode 1N4148

Es fand die Mess­schaltung 2 entsprechend Abbildung B.2 Verwendung – untersuchter Transistor war ein AC128 .

Eingangskreis – u_eing. vs. u_b

Tab. B4.1: Signalspannungen, gemessen im Eingangskreis von Mess­schaltung 4

	ueing.		uB		ri
	[ Vpp ]	[ Veff ]	[ Vpp ]	[ Veff ]	[ clean ]
1	150 mV	52 mV	130 mV	45 mV	≈ 30kΩ
2	371 mV	130 mV	323 mV	115 mV	≈ 33kΩ
3	738 mV	261 mV	636 mV	233 mV	(zerrt)
4	1,47 V	523 mV	1,25 V	470 mV	(zerrt)
5	1,84 V	654 mV	1,56 V	587 mV	(clippt)
6	3,69 V	1,31 V	3,12 V	1,18 V	(clippt)

Tab. B4.2: Signalverläufe und Lissajous-Figuren, aufgezeichnet im Eingangskreis von Mess­schaltung B.4:  (Zum Öffnen klicken)

Oszillogramme
Mess­schaltung 4 –
u_eing. und u_b

X-Y-Graphen
Mess­schaltung 4 –
u_b vs. u_eing.

Ein­gangs­signal­spannung:  u_eing.,eff = 52 mV

u_eing.(grün): 25 mV / div,
u_b (rot): 25 mV / div 

u_eing. (hor.): 25 mV / div,
u_b (vert.): 10 mV / div 

Ein­gangs­signal­spannung:  u_eing.,eff = 130 mV

u_eing.(grün): 50 mV / div,
u_b (rot): 50 mV / div 

u_eing. (hor.): 50 mV / div,
u_b (vert.): 20 mV / div 

Ein­gangs­signal­spannung:  u_eing.,eff = 261 mV

u_eing.(grün): 100 mV / div,
u_b (rot): 100 mV / div 

u_eing. (hor.): 100 mV / div,
u_b (vert.): 50 mV / div 

Ein­gangs­signal­spannung:  u_eing.,eff = 523 mV

u_eing.(grün): 200 mV / div,
u_b (rot): 200 mV / div 

u_eing. (hor.): 200 mV / div,
u_b (vert.): 100 mV / div 

Ein­gangs­signal­spannung:  u_eing.,eff = 654 mV

u_eing.(grün): 200 mV / div,
u_b (rot): 200 mV / div 

u_eing. (hor.): 200 mV / div,
u_b (vert.): 100 mV / div 

Ein­gangs­signal­spannung:  u_eing.,eff = 1,31 V

u_eing.(grün): 500 mV / div,
u_b (rot): 500 mV / div 

u_eing. (hor.): 500 mV / div,
u_b (vert.): 200 mV / div 

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Verstärkung und Verzerrung – u_eing. vs. u_c

Tab. B4.3: Signalspannungen, gemessen am Ausgang von Mess­schaltung 4

	ueing.		uC		vu
	[ Vpp ]	[ Veff ]	[ Vpp ]	[ Veff ]	[ clean ]
1	76 mV	26 mV	1,68 V	560 mV	≈ 15
2	149 mV	52 mV	2,24 V	780 mV	≈ 15
3	370 mV	130 mV	5,24 V	1,84 V	(zerrt)
4	737 mV	261 mV	8,94 V	3,31 V	(zerrt)
5	1,47 V	523 mV	9 V	3,67 V	(clippt)
6	3,69 V	1,31 V	9,03 V	3,80 V	(clippt)

Tab. B4.4: Signalverläufe und Lissajous-Figuren, aufgezeichnet am Ausgang von Mess­schaltung B.4:  (Zum Öffnen klicken)

Oszillogramme
Mess­schaltung 4 –
u_eing. und u_c

X-Y-Graphen
Mess­schaltung 4 –
u_C vs. u_eing.

Ein­gangs­signal­spannung:  u_eing.,eff = 26 mV

u_eing. (grün): 10 mV / Div,
u_C (rot): 200 mV / Div 

u_eing. (hor.): 10 mV / Div,
u_c (vert.): 100 mV / Div 

Ein­gangs­signal­spannung:  u_eing.,eff = 52 mV

u_eing. (grün): 20 mV / Div,
u_C (rot): 500 mV / Div 

u_eing. (hor.): 20 mV / Div,
u_c (vert.): 200 mV / Div 

Ein­gangs­signal­spannung:  u_eing.,eff = 130 mV

u_eing. (grün): 50 mV / Div,
u_C (rot): 1 V / Div 

u_eing. (hor.): 50 mV / Div,
u_c (vert.): 500 mV / Div 

Ein­gangs­signal­spannung:  u_eing.,eff = 261 mV

u_eing. (grün): 100 mV / Div,
u_C (rot): 2 V / Div 

u_eing. (hor.): 100 mV / Div,
u_c (vert.): 1 V / Div 

Ein­gangs­signal­spannung:  u_eing.,eff = 523 mV

u_eing. (grün): 200 mV / Div,
u_C (rot): 2 V / Div 

u_eing. (hor.): 200 mV / Div,
u_c (vert.): 1 V / Div 

Ein­gangs­signal­spannung:  u_eing.,eff = 1,3 V

u_eing. (grün): 500 mV / Div,
u_C (rot): 2 V / Div 

u_eing. (hor.): 500 mV / Div,
u_C (vert.): 1 V / Div 

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Auswertung

Nach dem kurzen Überblick über die quantitativen Ergebnisse in der folgenden Tabelle B.5 ein paar erläuternde Anmerkungen insbesondere zu den Oszillogrammen und Lissajous-Figuren. 

Die ersten Messungen und Oszillogramme (speziell Mess­schaltung B.1) dienen weniger der Über­prüfung eigener Hypothesen oder Schaltungs­ideen, sondern eher einer ersten Orientierung und Visualisierung des dynamischen Ver­haltens insbesondere des Rangemaster Trebleboosters. 

Die erste Messung Messung B1 entspricht im wesentlichen dem „originalen“ Treblebooster unter Verwendung eines „amtlichen“ Germanium­transistor (AC128, β etwa 90), allerdings mit wesentlich größerem Ein­gangs­koppel­kondensator (um bei den üblichen Messfrequenzen von 440 Hz bzw. 1 kHz keine Phasen­verschiebungen berücksichtigen zu müssen). 

Die Ergebnisse dieser Untersuchung der Treblebooster-Schaltung sind eine Referenz insbesondere in Bezug auf das dynamische Verhalten, mit der beispielsweise Treblebooster-Schaltungen für hochohmige Tonabnehmer verglichen werden können.  Wenn beispielsweise bei dieser Messung B1, die Schaltung bei einem Eingangspegel von etwa 200 mV so stark übersteuert wird, dass der Arbeitspunkt in den waagerechten Teil der Kennlinie wandert, (asymmetrische Übersteuerung, im Nulldurchgang des Eingangssignal ist der Transistor voll durchgesteuert und in Sättigung), so sollte man bei der Treblebooster-Version für Humbucker-Gitarren darauf achten, dass diese Art der Übersteuerung erst bei 400 mV bis 500 mV auftritt. 

Insbesondere die Messungen an Mess­schaltung B2 und B3 haben einige der im Artikel angestellten Überlegungen bestätigt:  Der Eingangs­wider­stand, der besonders für die Höhen wichtig ist, sinkt mit dem Strom­verstärkungs­faktor des Transistors, während die (Spannungs-)Verstärkung (im Vergleich zur Leerlauf­signal­spannung eines hochhohmig angeschlossenen Tonabnehmers) relativ unabhängig davon ist. 

Das Einschleifen einer kleinen Diode in den Emitterkreis (Mess­schaltung B4) führt zu einer deutlichen Erhöhung des Eingangs­wider­stands wie auch zu einer ebenso deutlichen Verringerung der Spannungs­verstärkung.  Der weiter oben genannte Effekt der Verschiebung des Arbeitspunktes an den Cut Off (im Nulldurchgang des Eingangssignal sperrt der Transistor fast völlig, die Kollektorspannung des pnp-Transistors ist am negativsten) tritt bei der Mess­schaltung B4 bei einem etwa doppelt so großen Eingangssignal auf – in der folgenden Tabelle B5.2 werden die Signalverläufe und Lissajous­figuren der vier Mess­schaltung in diesem Zustand noch einmal zusammengefasst. 

Tab. B5.1: Eingangs­widerstand und Ver­stärkung der ver­schiedenen Mess­schaltungen.  Der Wert U_e,max benennt die Eingangs­spannung, bei der bei den Messungen noch keine geradlinige Begrenzung der Ausgangs­spannung am Kollektor aufgetreten ist. 

	Schaltg.	Transistoren	Ση	reing.	vU	ueing.	ue,max
B1	AC128	≈1	11 kΩ	35	25 mV	50 mV
B2	МП21 (MP21); β ≈ 40	≈1	5,5 kΩ	29	49 mV	49 mV
B3	МП21 (MP21); β ≈ 52	≈1	8 kΩ	36	25 mV	50 mV
B4	AC128; mit 1N4148	≈2,7	30 kΩ	15	52 mV	130 mV

Tab. B5.2: In den Cut Off verschobener Arbeitspunkt für verschiedene Eingangs­signal­spannungen bei verschiedenen Schaltungen – Signalverläufe und Lissajous-Figuren

Oszillogramme
u_eing. und u_C

X-Y-Graphen
u_C vs. u_eing.

Mess­schaltung B.1
AC128
Ein­gangs­signal­spannung:  u_eing.,eff = 127 mV

u_eing. (grün): 50 mV / Div,
u_C (rot): 500 mV / Div 

u_eing. (hor.):  50 mV / Div,
u_C (vert.): 1 V / Div 

Mess­schaltung B.2
МП21 mit β= 40
Ein­gangs­signal­spannung:  u_eing.,eff = 125 mV

u_eing. (grün): 50 mV / Div,
u_c (rot): 2 V / Div 

u_eing. (hor.): 50 mV / Div,
u_c (vert.): 1 V / Div 

Mess­schaltung B.3
МП21 mit β= 52
Ein­gangs­signal­spannung:  u_eing.,eff = 127 mV

u_eing. (grün): 50 mV / Div,
u_c (rot): 2 V / Div

u_eing. (hor.): 50 mV / Div,
u_c (vert.): 1 V / Div

Mess­schaltung B.4
AC128 mit Diode 1N4148
Ein­gangs­signal­spannung:  u_eing.,eff = 261 mV

u_eing. (grün): 100 mV / Div,
u_C (rot): 2 V / Div 

u_eing. (hor.): 100 mV / Div,
u_c (vert.): 1 V / Div